Badania mechanizmów przełączania rezystancyjnego w cienkowarstwowych strukturach pamięciowych wytworzonych na bazie tlenku (II)
- Project title EN (opcjonalnie): Studies on resistive switching mechanisms in thin -film memory structures based on copper (ii)oxide
- Kierownik projektu (prof. dr hab. Imię Nazwisko etc, pominąć prof. IFPAN): Mgr Monika Ożga
- Zespół realizujący projekt: ON 2.4 - Zespół fizyki struktur tlenkowych
- Rodzaj projektu: NCN PRELUDIUM
- Okres realizacji (rok start-rok koniec): 2023-2025
- Identyfikator projektu: 2022/45/N/ST5/02535
- Przyznane środki dla IF PAN (1 234 567 zł EUR etc): 139 680 zł
- Waluta: zł
- Instytucja finansująca: Narodowe Centrum Nauki
