Przedmiotem wykładu będą laserowo-plazmowe źródła promieniowania rentgenowskiego i skrajnego nadfioletu (EUV) opracowane w Instytucie Optoelektroniki WAT na potrzeby zastosowań w różnych obszarach nauki i techniki. Promieniowanie tych źródeł jest generowane w plazmie wysokotemperaturowej powstającej w wyniku naświetlania dwustrumieniowej tarczy gazowej impulsami laserowymi o czasie trwania od 1 do 10 ns, energii w impulsie od 0,5 do 10 J, wytwarzanymi laserami Nd:YAG z repetycją do 10 Hz. Źródła są wyposażone w układy optyczne, takie jak zwierciadła, siatki dyfrakcyjne, płytki strefowe Fresnela, służące do formowania wiązek promieniowania rentgenowskiego i EUV  o wymaganych parametrach. Opracowane źródła znalazły zastosowanie w spektroskopii rentgenowskiej jonów wieloładunkowych, metrologii elementów optycznych dla zakresu rentgenowskiego i EUV, mikroskopii i tomografii z rozdzielczością nanometrową, mikro- i nano-obróbce materiałów promieniowaniem EUV, rentgenowskiej spektroskopii w pobliżu krawędzi absorpcji (XAFS) oraz do wytwarzania zimnej plazmy fotojonizowanej. W czasie wykładu omówione zostaną wybrane zastosowania opracowanych źródeł w badaniach materii skondensowanej.